Samsung planea producir en Texas matrices base HBM de 2 nm, con AMD al frente de los pedidos reportados

Una segunda planta en Taylor apunta a los circuitos que están debajo de la memoria para IA

Samsung Electronics planea fabricar componentes avanzados para memoria de inteligencia artificial en su segunda fábrica de chips en Taylor, Texas, y prevé iniciar la producción en masa en 2030. La instalación propuesta utilizaría un proceso de fabricación de 2 nanómetros, ocuparía unos 2,7 millones de pies cuadrados y suministraría las matrices base situadas debajo de las pilas de memoria de alto ancho de banda, o HBM.

Según fuentes del sector, los clientes han reservado toda la capacidad de producción prevista de la planta, y AMD se quedaría con la mayor parte. Nvidia también figura como posible cliente. Samsung declinó hacer comentarios sobre la información relativa a la fábrica, y las reservas no han sido confirmadas de forma independiente. No se ha divulgado el desglose de los clientes, los valores de los contratos ni la capacidad de producción en obleas.

El proyecto ofrecería a Samsung otra vía para entrar en el creciente negocio de fabricar los circuitos lógicos que forman parte de la memoria para IA. Su división de memoria fabrica los chips que almacenan información, mientras que su división de fundición fabrica chips con circuitos de procesamiento y control. Los diseños HBM más exigentes están acercando ambas actividades.

Los requisitos de Nvidia también complican esa oportunidad. Según se ha informado, la empresa de diseño de procesadores para IA pidió a Samsung, SK hynix y Micron que utilicen el proceso de fabricación de su competidora TSMC para las matrices base de su memoria NVHBM personalizada. Por tanto, Samsung se enfrenta a dos vías comerciales distintas: fabricar memoria con componentes de TSMC para Nvidia y usar sus propias fábricas para clientes como AMD.

La propuesta de Texas pone más de relieve esas dos vías. Samsung podría seguir siendo un importante proveedor de memoria aunque otra empresa fabrique la matriz base, mientras busca obtener más ingresos de fabricación de clientes que opten por su propio proceso.

Qué fabricaría la planta de Texas

La HBM combina varios chips de memoria apilados verticalmente junto a un procesador potente. Esta disposición permite que grandes cantidades de información recorran distancias cortas, lo que ayuda a los procesadores de IA a recibir los datos que necesitan para sus cálculos. El ancho de banda se refiere a la cantidad de datos que puede transferirse en un tiempo determinado, no a la cantidad de información que puede almacenar la memoria.

Una matriz es una pieza individual de silicio que contiene circuitos electrónicos. En una pila HBM, las matrices centrales de memoria almacenan los datos. La matriz base situada debajo proporciona conexiones y funciones lógicas que ayudan a la pila a comunicarse con el procesador.

Samsung planea combinar matrices base fabricadas en Taylor con DRAM producida en Corea del Sur. La DRAM es la memoria de trabajo que almacena temporalmente información mientras funciona un sistema informático. Por tanto, la cadena de producción propuesta conectaría la fabricación de circuitos lógicos en Estados Unidos con la producción de memoria en Corea.

Según fuentes del sector, los productos HBM4 de Samsung, ya en producción en masa, y sus muestras HBM4E utilizan actualmente matrices base fabricadas con un proceso de 4 nanómetros. Taylor Fab 2 pasaría a los 2 nanómetros, con la posibilidad de adoptar procesos más avanzados a medida que los futuros productos lo requieran. Estos nombres de procesos identifican generaciones de tecnología de fabricación que permiten integrar circuitos cada vez más complejos en chips pequeños.

Un calendario de construcción que se extiende hasta 2030

Está previsto que Taylor Fab 2 ocupe unos 250.000 metros cuadrados, aproximadamente 1,5 veces el tamaño de la primera fábrica de Taylor. Según se ha informado, ya se están preparando y nivelando los terrenos, y las principales obras comenzarían a principios de noviembre de 2026.

El calendario distingue entre el inicio de las obras, la instalación de los equipos de fabricación y la producción final de chips comercializables. Las fábricas de chips requieren una instalación extensa de equipos y preparación de procesos una vez que los edificios están construidos.

• Marzo de 2026: El concejo municipal de Taylor aprobó asistencia de ingeniería para los permisos relacionados con la segunda fábrica.
• Principios de noviembre de 2026: Está previsto que comiencen las principales obras de Taylor Fab 2.
• 2027: Se espera que la primera fábrica de Taylor inicie la producción en masa.
• Febrero de 2029: Se prevé que comience la instalación de equipos en la segunda fábrica.
• 2030: Está previsto que Taylor Fab 2 inicie la producción en masa.

El calendario sitúa la segunda fábrica varios años después de la actual competencia por la memoria para IA. Su objetivo comercial es asegurar un lugar en generaciones posteriores de productos, en las que se espera que la matriz base incorpore circuitos más exigentes.

Por qué AMD es importante para la expansión propuesta

AMD representa la mayoría de los pedidos reportados para Taylor Fab 2. Según fuentes del sector, sus requisitos por sí solos podrían presionar la capacidad prevista de la fábrica, lo que convierte a la empresa en un elemento central de la expansión propuesta por Samsung.

Samsung tiene previsto mantener su modelo de fabricación integrada para la HBM personalizada que suministra a AMD y a otros clientes. Con este modelo, las propias divisiones de Samsung fabricarían tanto las matrices centrales de memoria como las matrices base, en lugar de comprarlas a otra fundición.

Para Samsung, este enfoque podría generar ingresos tanto para sus operaciones de memoria como para las de fundición. Para AMD, reservar capacidad de fabricación permitiría asegurar un lugar en el calendario de producción a medida que crece su negocio de chips para IA. No se han descrito los diseños de memoria exactos que abarcarían los pedidos reportados para Taylor.

Esta relación se enmarca en un esfuerzo más amplio por mejorar el acceso de los procesadores a los datos. Samsung presentó una colaboración con AMD para la agrupación de memoria durante sus presentaciones sobre infraestructura de IA de octubre de 2026, junto con HBM personalizada y otras tecnologías de memoria. El plan de Taylor se refiere a otra parte de ese esfuerzo: fabricar el silicio situado debajo de las futuras pilas HBM.

Por qué Nvidia pide a sus proveedores que utilicen TSMC

El requisito de fabricación atribuido a Nvidia incorporaría a TSMC a una etapa de la producción de HBM que Samsung tradicionalmente ha gestionado internamente. Según fuentes del sector citadas el 18 de octubre de 2026, Nvidia pidió a Samsung, SK hynix y Micron que utilizaran el proceso de 3 nanómetros de TSMC para las matrices base de NVHBM, junto con la sexta generación de tecnología de fabricación de DRAM para las matrices centrales de memoria.

Nvidia quiere que la memoria de sus proveedores funcione de forma más uniforme. Un proceso de fabricación compartido para la matriz base podría reducir las diferencias entre productos y disminuir el trabajo de ingeniería necesario para aprobar la memoria de cada fabricante para su uso con los procesadores de Nvidia.

Según se ha informado, Samsung aceptó el requisito tras una revisión interna. La medida amplía la cooperación previa con TSMC, centrada en hacer que la memoria de Samsung fuera compatible con la tecnología de empaquetado de chips de TSMC, y la extiende a la fabricación de un componente esencial de la HBM.

El requisito de Nvidia sobre las matrices base descrito en octubre explica por qué las ambiciones de Samsung en Texas y el uso de TSMC pueden coexistir. Samsung puede suministrar a Nvidia memoria que incorpore una matriz base de TSMC y, a la vez, buscar otros pedidos de fabricación para sus propias plantas.

NVHBM incorpora más circuitos de control a la memoria

NVHBM modifica el reparto de tareas entre el procesador principal y la memoria que lo acompaña. Su diseño traslada el controlador de memoria, el circuito que dirige el tráfico de datos, de la unidad de procesamiento gráfico a la matriz base HBM.

Nvidia obtiene más espacio en el procesador principal para incorporar circuitos de cálculo. La matriz base asume un papel mayor, lo que aumenta la importancia de su tecnología de fabricación para el sistema completo. La necesidad de integrar esa lógica adicional en un espacio limitado es una de las razones para utilizar un proceso avanzado.

El rendimiento de fabricación también influye en el costo y el suministro. El rendimiento es la proporción de chips fabricados en una oblea de silicio que cumple los estándares requeridos. Las estimaciones del sector sitúan el rendimiento del proceso de 3 nanómetros de TSMC por encima del 90%, frente a cerca del 60% para el proceso de 2 nanómetros de Samsung. Estas estimaciones corresponden a procesos distintos, pero ayudan a explicar el atractivo comercial de un proceso que produce una alta proporción de chips utilizables.

Samsung también está evaluando fabricar matrices base NVHBM con su propia tecnología de fabricación, lo que podría ofrecer una alternativa si la demanda supera la capacidad de TSMC. La preferencia atribuida a Nvidia por TSMC implica que su posible participación como cliente de Taylor dependerá de futuras decisiones de abastecimiento. La HBM convencional y la NVHBM podrían coexistir mientras Nvidia siga comercializando varias generaciones de procesadores.

La demanda de memoria crece más rápido que la oferta

UBS prevé una demanda de HBM de aproximadamente 61.500 millones de gigabits en 2027, un aumento del 91% respecto del año anterior. Los envíos previstos, de unos 54.600 millones de gigabits, dejarían un déficit de 6.900 millones de gigabits, alrededor del 11% de la demanda proyectada.

Estas cifras miden la cantidad de memoria, no el número de pilas HBM terminadas. La comparación muestra por qué las empresas de procesadores buscan compromisos de capacidad mucho antes de que una nueva fábrica empiece a producir.

El inicio de la producción de Vera Rubin de Nvidia añade otra fuente inmediata de demanda de memoria avanzada. Samsung, SK hynix y Micron compiten por suministrar HBM4 para esa plataforma mientras desarrollan las generaciones siguientes.

El objetivo de Taylor Fab 2 para 2030 se sitúa después de la escasez descrita en las previsiones de UBS. La fábrica atendería un mercado posterior, marcado por un mayor crecimiento de la computación para IA y cambios en el diseño de la memoria. Por tanto, el plan de Samsung es tanto una inversión en capacidad como una decisión sobre qué partes de los futuros sistemas de memoria quiere fabricar.

La primera fábrica de Taylor sienta las bases

Se espera que la primera fábrica de Taylor de Samsung comience a producir en 2027, tres años antes que la segunda instalación. Tesla figura como su cliente principal en virtud de un acuerdo reportado de 16.500 millones de dólares que abarca chips AI5 y AI6.

La inversión reportada para la primera fábrica ha aumentado de 17.000 millones a 37.000 millones de dólares, y el proyecto incluye 4.750 millones de dólares de apoyo en virtud de la ley estadounidense CHIPS Act. El terreno de Taylor ocupa 1.268 acres y tiene espacio para un máximo de 10 fábricas.

Las dos plantas tendrían funciones distintas en el complejo. La primera está vinculada a la fabricación de procesadores para IA, mientras que la segunda se orientaría a componentes lógicos para memoria avanzada. Para los clientes, esto ampliaría la variedad de silicio relacionado con la IA que Samsung puede fabricar en Estados Unidos.

Corea del Sur seguiría formando parte de la cadena de producción HBM propuesta, ya que Samsung planea fabricar allí la DRAM. La expansión en Texas distribuiría la producción entre los dos países, con matrices base estadounidenses combinadas con memoria coreana.

Samsung busca fortalecer su negocio de fundición

Samsung ha dicho que los ingresos de su división de fundición aumentaron en el tercer trimestre gracias a las ventas de matrices lógicas HBM y a los pedidos avanzados de 2 nanómetros de grandes operadores de la nube y otros clientes del sector de la IA. Aun así, el negocio siguió registrando pérdidas.

La empresa ha proyectado un crecimiento superior al 130% de los pedidos de 2 nanómetros durante 2026. Kiwoom Securities prevé que la división de fundición vuelva a ser rentable en el cuarto trimestre. Una segunda fábrica de Taylor con toda su capacidad reservada respaldaría ese esfuerzo de recuperación al ofrecer a Samsung una cartera de producción a más largo plazo.

Otros posibles clientes se encuentran en una fase más inicial. Observadores del sector señalan a Broadcom como posible comprador de matrices base HBM de Taylor. Samsung también está trabajando en un posible proyecto de chips de IA de 2 nanómetros para un cliente estadounidense de servicios en la nube, a través de Faraday, una empresa taiwanesa que diseña chips personalizados. No se han confirmado pedidos de fabricación para ese proyecto.

La demanda atribuida a AMD da al plan de Texas su enfoque más claro en cuanto a clientes. Nvidia representa una oportunidad más compleja porque sus requisitos de memoria dirigen actualmente la fabricación de matrices base hacia TSMC. El desafío para Samsung es convertir la demanda de su memoria en más trabajo para sus propias fábricas y, al mismo tiempo, cumplir los requisitos de diseño y producción elegidos por cada cliente.

Puntos clave

• La segunda fábrica de Samsung en Taylor planea producir matrices base HBM con un proceso de 2 nanómetros, y prevé iniciar la producción en masa en 2030.
• Según fuentes del sector, toda la capacidad prevista está reservada, principalmente para AMD. Samsung no ha confirmado la información.
• Las principales obras están programadas para principios de noviembre de 2026, y la instalación de equipos comenzaría en febrero de 2029.
• Samsung planea combinar matrices base fabricadas en Texas con DRAM producida en Corea del Sur.
• Según se ha informado, Nvidia pidió a sus tres principales proveedores de HBM que utilicen el proceso de 3 nanómetros de TSMC para las matrices base NVHBM.
• UBS proyecta una demanda de HBM de 61.500 millones de gigabits en 2027, frente a envíos previstos de 54.600 millones de gigabits.
• La expansión respaldaría el esfuerzo de Samsung por conseguir más contratos de fabricación avanzada mientras su división de fundición trabaja para alcanzar la rentabilidad.