Nvidia inicia la producción de Vera Rubin mientras la demanda de HBM4 intensifica la competencia por los chips de memoria

Una línea de ensamblaje más rápida pone el suministro de memoria en el centro de atención

Nvidia ha iniciado la producción a plena escala de su plataforma de computación para inteligencia artificial Vera Rubin. Su director ejecutivo, Jensen Huang, afirmó que ahora es posible ensamblar un nodo de servidor en menos de cinco minutos, frente a las dos horas que requería su antecesor, Grace Blackwell. El cambio promete acelerar la fabricación de servidores y, al mismo tiempo, aumentar la demanda de memoria avanzada suministrada por Samsung Electronics, SK hynix y Micron.

Huang presentó el nodo Vera Rubin en GTC Berlín 2026 y describió un diseño sin cables ni alambres y con refrigeración líquida en el 100% del sistema. Grace Blackwell utilizaba refrigeración líquida en el 80% del sistema y requería mucho más trabajo de ensamblaje.

La comparación supone una reducción de más del 95,8%, de 120 minutos a menos de cinco. Para las empresas que construyen grandes cantidades de servidores de inteligencia artificial, simplificar este paso podría ayudar a que los equipos avancen más rápido por las fábricas. El tiempo necesario para fabricar los chips, empaquetar la memoria e instalar sistemas completos sigue formando parte del calendario general de producción.

Samsung y SK hynix compiten por captar la demanda resultante de HBM4, la sexta generación de memoria de alto ancho de banda. Micron también está habilitada para suministrar productos a Vera Rubin, lo que convierte esta competencia en una disputa entre los tres principales fabricantes de HBM.

Al mismo tiempo, los proveedores ya están presentando HBM4E, la generación posterior a HBM4. Sus anuncios reflejan dos presiones relacionadas: Nvidia busca servidores más fáciles de ensamblar, mientras que los fabricantes de memoria deben ofrecer más velocidad y capacidad mediante un proceso de producción complejo. Un ensamblaje más rápido de los servidores hace aún más valiosas las entregas confiables de chips.

¿Qué cambia dentro de Vera Rubin?

Un nodo de servidor es un componente básico de un sistema informático más grande. Nvidia conecta estas unidades para que muchos procesadores puedan trabajar juntos en tareas exigentes de inteligencia artificial, como entrenar un modelo o responder a las consultas de un gran número de usuarios.

El diseño de ensamblaje más sencillo de Vera Rubin reduce el trabajo necesario para conectar los componentes. La comparación de Huang con Grace Blackwell se centró en la eliminación de cables y alambres del nodo y en el paso a la refrigeración líquida integral.

La refrigeración líquida disipa el calor de los componentes mediante un fluido en circulación. Los potentes procesadores de inteligencia artificial generan mucho calor, y controlar la temperatura ayuda a que funcionen de manera confiable durante cargas de trabajo prolongadas. Vera Rubin extiende este enfoque a todo el sistema descrito por Huang.

El anuncio de producción de Nvidia lleva el diseño a la etapa de fabricación. El ritmo al que los sistemas terminados llegan a los clientes también dependerá de la disponibilidad de procesadores, memoria, empaquetado y equipos de refrigeración.

Por qué HBM4 es importante para el rendimiento de la inteligencia artificial

La memoria HBM apila varios chips de memoria uno encima de otro junto a un procesador de inteligencia artificial. Unas conexiones diminutas que atraviesan el silicio permiten que los datos se muevan entre las capas. Una superficie de conexión compartida enlaza la pila con el procesador y le permite acceder rápidamente a la información.

Los procesadores de inteligencia artificial necesitan este acceso porque los cálculos dependen de un suministro constante de datos. Un procesador potente puede pasar tiempo esperando si su memoria no proporciona información con suficiente rapidez. El ancho de banda describe cuántos datos pueden transferirse por segundo; la capacidad indica cuántos pueden almacenarse al mismo tiempo.

HBM4 amplía la interfaz de datos a 2.048 bits, el doble del ancho de la generación anterior. Samsung informa de un ancho de banda de 2,8 terabytes por segundo para su pila de 12 capas, mientras que Micron informa de más de 2,8 terabytes por segundo para su producto HBM4 actual.

Tanto la velocidad como el espacio de almacenamiento son importantes. Entrenar un modelo de inteligencia artificial requiere realizar cálculos repetidos sobre grandes cantidades de datos. La ejecución de un modelo ya entrenado, conocida como inferencia, también requiere memoria para almacenar el modelo y la información sobre las consultas que se están procesando.

Samsung apuesta por la velocidad mientras SK hynix aumenta la capacidad

La HBM4 de Samsung combina su proceso de fabricación DRAM 1c de sexta generación con un dado base fabricado mediante un proceso lógico de 4 nanómetros. El dado base es la capa de control situada debajo de la pila de memoria. Samsung informa de una velocidad de transferencia de 11,7 gigabits por segundo en cada pin, que alcanza hasta 13 gigabits en configuraciones optimizadas.

Hwang Sang-joon, responsable de desarrollo de memoria de Samsung Electronics, explicó la decisión de fabricación cuando la empresa anunció sus primeros envíos comerciales:

«En lugar de seguir el camino convencional y utilizar diseños existentes ya probados, Samsung dio un salto y adoptó los nodos más avanzados, como el proceso DRAM 1c y el proceso lógico de 4 nm, para HBM4».

SK hynix ha seguido un enfoque distinto en su producto HBM4 presentado, al utilizar su proceso DRAM 1b, más consolidado, y apilar 16 capas. Esa versión ofrece 48 gigabytes, frente a los 36 gigabytes de la pila de 12 capas de Samsung.

Por tanto, la pila de SK hynix ofrece 12 gigabytes más, un aumento de capacidad de un tercio. Ese espacio adicional puede ayudar a los sistemas a mantener más información de trabajo cerca del procesador. El enfoque de Samsung se centra en transferencias más rápidas mediante un proceso de fabricación más reciente.

Las conversaciones prolongadas y las tareas complejas de inteligencia artificial hacen que la capacidad sea especialmente valiosa. Los modelos conservan información sobre partes anteriores de una consulta en un almacenamiento temporal denominado caché de claves y valores. Cuando más usuarios envían consultas más largas, esa caché puede ocupar la memoria disponible y obligar a trasladar información a un almacenamiento más lento.

Ahn Hyeon, responsable de desarrollo de SK hynix, ha pronosticado que la escala de rendimiento necesaria para la infraestructura de inteligencia artificial podría ser unas 20 veces mayor en 2030 que en 2026. Su argumento a favor de nuevas tecnologías de memoria se basa, en parte, en la cantidad cada vez mayor de información que los sistemas de inferencia deben mantener disponible de inmediato.

Micron amplía su capacidad y ya tiene contratada la producción de 2027

Micron inauguró a mediados de octubre de 2026 su segunda planta avanzada de ensamblaje y pruebas de HBM en Taichung, Taiwán. La planta, conocida como AATT2, añade capacidad para convertir chips de memoria individuales en pilas terminadas.

Manish Bhatia, presidente y director de operaciones de Micron, describió la demanda durante la ceremonia de inauguración:

«Toda la capacidad prevista para 2027 ya está vendida».

El director ejecutivo de Micron, Sanjay Mehrotra, afirmó en la conferencia sobre resultados de la empresa celebrada en junio que las ventas acumuladas de HBM4 habían superado los 1.000 millones de dólares pocos meses después del inicio de los envíos comerciales. También señaló que el aumento de la producción de HBM4 de 12 capas avanzaba al doble de velocidad que el aumento equivalente de la producción de HBM3E.

Huang confirmó en junio que Samsung, SK hynix y Micron habían obtenido la aprobación para HBM4 y habían iniciado la producción en masa para Vera Rubin. La aprobación de un cliente significa que el producto de un proveedor ha superado las pruebas necesarias para utilizarse en el sistema de ese cliente.

Micron tenía como objetivo alcanzar una capacidad total de producción de HBM de unas 100.000 obleas mensuales para finales de 2026. En junio, su inversión acumulada en Taiwán superaba los 1,6 billones de dólares taiwaneses, aproximadamente 50.200 millones de dólares.

Está previsto que la planta de Tongluo, en el condado de Miaoli, comience a realizar envíos de productos a plena escala a mediados de 2027. Las obleas de esa planta recorrerían unos 24 kilómetros hasta AATT2 para su ensamblaje y prueba, lo que conectaría dos etapas de producción a una distancia relativamente corta.

El empaquetado y la mano de obra pueden limitar las entregas

La producción de HBM requiere mucho más que fabricar un chip de memoria funcional. Los fabricantes deben adelgazar el silicio, crear conexiones precisas a través de él y unir varias capas. Un defecto durante estos pasos puede reducir la cantidad de pilas terminadas que pueden utilizarse.

Las pilas más altas aumentan el número de conexiones y operaciones de unión que deben realizarse correctamente. Por eso, la decisión de Samsung de utilizar un proceso más reciente con 12 capas y la de SK hynix de emplear un proceso más consolidado con 16 capas implican distintos retos de fabricación, además de especificaciones diferentes.

El proveedor de equipos Hanmi Semiconductor fabrica máquinas de unión por compresión térmica, que utilizan calor y presión cuidadosamente controlados para unir capas. En junio, SK hynix firmó un contrato por 44.200 millones de wones, aproximadamente 33 millones de dólares, para adquirir equipos TC Bonder 4.5 Griffin mejorados destinados a su planta de Cheongju. Hanmi ha previsto lanzar comercialmente su próximo modelo Wide TC Bonder en 2027.

Micron también afronta incertidumbre laboral en Taiwán. El sindicato de la empresa en Taoyuan informó que 1.994 de los 2.012 miembros con derecho a voto autorizaron una huelga el 7 de octubre, cerca del 99% de los miembros habilitados. La mediación con el sindicato de Taichung estaba prevista para el 22 de octubre. El presidente de Taiwán, Lai Ching-te, asistió a la inauguración de AATT2 e instó a las partes a negociar de buena fe.

Estos acontecimientos centran la atención tanto en la dotación de personal como en los equipos de las fábricas. La autorización de la huelga fue un paso que permitía emprender acciones laborales; no se había anunciado un paro ni posibles interrupciones de las entregas como consecuencia.

HBM4E ya está tomando forma

Samsung y SK hynix presentaron su tecnología HBM4E de próxima generación en SEDEX 2026, celebrado del 14 al 16 de octubre en COEX, en Seúl. Ambas empresas también exhibieron el superchip Vera Rubin de Nvidia, lo que refleja la estrecha relación entre la competencia en el mercado de la memoria y la plataforma de Nvidia.

La HBM4E de Samsung utiliza DRAM 1c y un dado base fabricado mediante un proceso de 4 nanómetros. La empresa informa de velocidades de hasta 16 gigabits por segundo por pin y un ancho de banda de 3,6 terabytes por segundo.

Frente al ancho de banda de 2,8 terabytes por segundo que Samsung atribuye a HBM4, esto supone un aumento de alrededor del 29%. La pila HBM4E de 12 capas de Samsung ofrece 48 gigabytes, un tercio más que los 36 gigabytes de su pila HBM4 con el mismo número de capas. Samsung también planea versiones de ocho capas y 32 gigabytes, y de 16 capas y 64 gigabytes.

SK hynix también presentó HBM4E con velocidades de hasta 16 gigabits por segundo por pin y afirmó que la eficiencia energética mejoraría más de un 20% frente a HBM4. Samsung entregó muestras a sus clientes en mayo, mientras que SK hynix lo hizo en junio para que comprobaran el rendimiento. Samsung busca iniciar la producción en masa de acuerdo con los calendarios de sus clientes.

Los fabricantes miran más allá de la memoria situada junto a la GPU

Samsung exhibió un modelo de zHBM, una arquitectura que coloca la memoria en vertical sobre un chip de computación, en lugar de junto a él. Reducir la distancia entre ambos podría disminuir el tiempo y la energía necesarios para transferir datos.

SK hynix presentó la memoria flash de alto ancho de banda, o HBF, que, según prevé, ofrecerá unas 10 veces la capacidad de la HBM actual. La tecnología propuesta añadiría otro nivel entre la memoria rápida y el almacenamiento, para ayudar a los sistemas de inteligencia artificial a gestionar mayores cantidades de datos.

Samsung también mostró una memoria capaz de realizar algunos cálculos internamente. Este enfoque busca reducir la frecuencia con que los datos deben trasladarse a un procesador independiente. Cada propuesta aborda un problema relacionado: mover información consume tiempo y energía, incluso cuando el propio chip de computación es extremadamente rápido.

zHBM y HBF siguen en las etapas de concepto y desarrollo; aún no se han decidido las fechas de comercialización ni su adopción por parte de los clientes. Para la producción actual de Vera Rubin, la fabricación y entrega de HBM4 siguen siendo las tareas inmediatas.

Los hitos de producción a seguir

La entrada de Nvidia en la fase de producción a plena escala se produce tras meses de aprobación de memorias, expansión de fábricas y demostraciones de productos futuros. Los principales hitos muestran cómo los calendarios de producción de procesadores y memoria están cada vez más vinculados:

• Principios de 2026: HBM4 de Micron entró en producción en masa.
• Mayo y junio de 2026: Samsung y SK hynix entregaron muestras de HBM4E a sus clientes.
• Junio de 2026: Huang confirmó que los tres principales proveedores de HBM habían sido aprobados y producían para Vera Rubin.
• 7 de octubre de 2026: el sindicato de Micron en Taoyuan autorizó una huelga.
• Del 14 al 16 de octubre de 2026: Samsung y SK hynix presentaron tecnologías de memoria en SEDEX, en Seúl.
• Mediados de octubre de 2026: Micron inauguró su planta AATT2 de empaquetado y pruebas en Taichung.
• 22 de octubre de 2026: estaba prevista la mediación con el sindicato de Micron en Taichung.
• Mediados de 2027: Micron prevé realizar envíos de productos a plena escala desde su planta ampliada de Tongluo.

Samsung y SK hynix podrían beneficiarse de las crecientes necesidades de memoria de Vera Rubin, mientras que la capacidad contratada de Micron refleja la fuerte competencia por el suministro disponible. Los clientes necesitan sistemas completos, por lo que el ensamblaje rápido de nodos debe ir acompañado de suficiente memoria, un empaquetado confiable y operaciones de fábrica fiables.

Puntos clave

• Nvidia afirma que Vera Rubin está en producción a plena escala y que el ensamblaje de cada nodo tarda menos de cinco minutos, frente a las dos horas anteriores.
• La plataforma utiliza refrigeración líquida integral y HBM4 suministrada por Samsung, SK hynix y Micron, fabricantes que cuentan con la aprobación de Nvidia.
• La pila HBM4 de 12 capas de Samsung ofrece 36 gigabytes; la pila de 16 capas presentada por SK hynix ofrece 48 gigabytes.
• Micron afirma que ya tiene contratada toda la capacidad prevista para 2027 de su nueva planta de HBM en Taichung.
• El empaquetado avanzado, la disponibilidad de equipos y las negociaciones laborales siguen siendo factores prácticos que afectan a los calendarios de entrega.
• Samsung y SK hynix prueban HBM4E mientras desarrollan nuevas formas de ubicar y organizar la memoria para inteligencia artificial.