Una celda de memoria más pequeña provoca una venta masiva mundial
La empresa china ChangXin Memory Technologies planea presentar un nuevo producto de memoria para servidores antes de que termine 2026, con una arquitectura que podría aumentar la densidad de memoria alrededor de un 30%. El anuncio hizo caer con fuerza las acciones de fabricantes de chips consolidados, aunque aún será necesario trabajar para convertir el diseño en una producción masiva fiable.
Contenido
- Una celda de memoria más pequeña provoca una venta masiva mundial
- Qué significa 4F² en términos sencillos
- Cómo CXMT está cambiando el proceso de fabricación
- Tras el lanzamiento comienza una prueba de producción más larga
- Por qué la reacción del mercado fue más allá de los fabricantes de memoria
- Por qué la HBM es una competencia distinta
- Una cuota de mercado en aumento y un calendario de desarrollo repleto
- Los controles a las exportaciones condicionan la expansión
- Los clientes y la valoración elevan las expectativas
- Puntos clave
El presidente de CXMT, Cao Kanyu, presentó los avances en una conferencia del sector celebrada en Shanghái el 10 de octubre. La empresa trabaja en un diseño denominado 4F², que reduce el espacio que ocupa cada celda de memoria. El producto previsto está dirigido a los servidores de centros de datos, lo que lo sitúa en competencia más directa con Samsung Electronics, SK Hynix y Micron Technology.
El 13 de octubre, las acciones de SK Hynix cerraron con una caída de alrededor del 10% y las de Samsung bajaron un 7,4%; ambas alcanzaron sus niveles más bajos desde agosto. El índice Kospi de Corea del Sur cayó un 5,5%. Micron perdió un 3,62% en la sesión del martes, tras retroceder cerca de un 3,9% el lunes.
La reacción se extendió a proveedores de equipos para fabricar chips, empresas de almacenamiento y otras acciones tecnológicas. Los inversores reevaluaban la rapidez con la que un fabricante chino podría desafiar a empresas que se han beneficiado de la demanda de capacidad de cálculo para inteligencia artificial.
El objetivo inmediato de CXMT es la memoria convencional para servidores. La memoria de alto ancho de banda, o HBM, especializada y utilizada junto con potentes procesadores de IA, sigue siendo un ámbito en el que sus rivales consolidados tienen una posición más sólida. La prueba comercial para CXMT será producir suficientes chips fiables a un costo competitivo.
Qué significa 4F² en términos sencillos
La DRAM, sigla de memoria dinámica de acceso aleatorio, almacena información que una computadora está utilizando en ese momento. Los servidores necesitan esta memoria de trabajo para mantener los datos cerca de sus procesadores mientras realizan tareas. Cada chip contiene una enorme cantidad de diminutas celdas de memoria.
La disposición 6F², habitual en el sector, asigna a cada celda un área equivalente a seis veces el cuadrado de una dimensión mínima, representada por F. Una disposición 4F² reduce esa área a cuatro veces el mismo cuadrado. Si la dimensión mínima no cambia, la celda ocupa aproximadamente un tercio menos de espacio.
Las celdas más pequeñas pueden permitir almacenar más información en un chip. La ganancia en un producto completo también depende del espacio que ocupen otros circuitos y de las decisiones de fabricación. Jing Jie Yu, analista de Morningstar, calcula que la comercialización exitosa de la arquitectura de CXMT podría aumentar la densidad de memoria un 30%.
Zhang Xiaolu, subdirector de la consultora CIC, calcula un posible aumento del 30% al 50% en la cantidad de bits producidos por oblea, junto con una reducción de alrededor del 33% en el área de cada celda. Estas estimaciones describen el potencial del diseño, no resultados medidos de una producción masiva ya consolidada.
Samsung y SK Hynix también están explorando diseños 4F². SK Hynix presentó una hoja de ruta de desarrollo en 2025, por lo que el calendario propuesto por CXMT resulta especialmente sensible para los inversores que evalúan la ventaja tecnológica de los proveedores actuales.
Cómo CXMT está cambiando el proceso de fabricación
Cao describió un método denominado puerta envolvente vertical, o VSG, que modifica la disposición de los transistores que controlan las celdas de memoria. La empresa espera que esta estructura reduzca las fugas eléctricas y otros problemas que se vuelven más difíciles de controlar a medida que las celdas se reducen.
Las fugas eléctricas se producen cuando la corriente escapa por lugares no deseados. En un chip de memoria, controlar esa corriente ayuda a que las celdas retengan la información de forma fiable y limita el desperdicio de energía. Un diseño más pequeño solo resulta útil si sus celdas siguen funcionando de manera uniforme.
CXMT también planea fabricar las celdas de memoria y sus circuitos periféricos en obleas de silicio separadas y luego unirlas mediante enlaces híbridos. Los circuitos periféricos realizan funciones como seleccionar celdas y trasladar información hacia ellas y desde ellas. Los enlaces híbridos conectan las piezas fabricadas por separado mediante conexiones eléctricas y físicas de gran precisión.
Cao dijo que separar esas etapas de fabricación era fundamental para el enfoque de la empresa. Zhang señaló que la combinación de VSG y enlaces a nivel de oblea podría aumentar la densidad sin depender de la litografía ultravioleta extrema, o EUV, una tecnología avanzada que se utiliza para imprimir patrones diminutos en los chips.
Tras el lanzamiento comienza una prueba de producción más larga
Se espera que CXMT presente antes de finales de 2026 una memoria DDR5 RDIMM basada en la nueva arquitectura. DDR5 es una generación de memoria para computadoras, mientras que una RDIMM es un módulo de memoria utilizado habitualmente en servidores. El producto debe funcionar de manera fiable con las máquinas y los sistemas que los clientes ya utilizan.
Aún no está claro qué proporción de los chips fabricados será apta para la venta. Cao no reveló cifras detalladas sobre el rendimiento de producción ni un calendario firme para las entregas comerciales a gran escala. Un proceso que produce muchos chips defectuosos puede resultar costoso, aunque el diseño de base sea prometedor.
Jing Jie Yu, analista de Morningstar, describió tanto la oportunidad competitiva como el desafío de fabricación:
Una implementación exitosa y más temprana de la arquitectura 4F² en la producción de DRAM mejoraría enormemente la posición competitiva de CXMT frente a sus pares
Yu también prevé que habrá una diferencia considerable entre la presentación del producto y su comercialización con rendimientos de producción viables. Señaló la dificultad de mantener resultados uniformes en la producción masiva.
Zhang dijo que la validación de memorias para servidores suele durar entre 18 y 24 meses. Durante ese proceso, los clientes comprueban si los productos cumplen exigentes requisitos de compatibilidad, fiabilidad y funcionamiento. Por tanto, la presentación de un producto da inicio a otra etapa de pruebas y adopción antes de su despliegue generalizado.
Por qué la reacción del mercado fue más allá de los fabricantes de memoria
SoftBank Group, de Japón, cayó un 8,5%; el proveedor de equipos para semiconductores Tokyo Electron retrocedió un 7,2%, y el fabricante de equipos de prueba Advantest bajó un 2,9%. El índice Nikkei 225 perdió un 1,8%, lo que muestra que las ventas se extendieron más allá de las empresas que compiten directamente con CXMT.
Las acciones europeas también retrocedieron. ASML cayó un 3,3%, mientras que STMicroelectronics e Infineon perdieron alrededor de un 5% cada una. Las empresas de almacenamiento SanDisk, Seagate y Western Digital también bajaron. La propia CXMT cerró el martes con un descenso del 2,8% en Shanghái.
La venta masiva se produjo después de una sesión ya débil el lunes en Estados Unidos, cuando el índice Nasdaq Composite cayó un 0,44%. Vey-Sern Ling, asesor sénior de renta variable en Union Bancaire Privee, dijo que los inversores estaban recogiendo beneficios en acciones de IA que habían tenido un buen desempeño, en especial las de empresas de memoria.
Phillip Wool, estratega jefe de mercado de Rayliant Global Advisors, consideró que la magnitud de las ventas era desproporcionada frente a la amenaza competitiva inmediata. Señaló el trabajo que CXMT aún debe realizar para fabricar el nuevo diseño en grandes volúmenes.
La sesión del día siguiente mostró una caída menor de SK Hynix, cuyas acciones retrocedieron un 1,66% el 14 de octubre. Los inversores sopesaban un posible cambio en la competencia a más largo plazo frente al proceso práctico, mucho más lento, de homologar los chips y ampliar la producción.
Por qué la HBM es una competencia distinta
La HBM transfiere grandes cantidades de datos rápidamente entre la memoria y un procesador. Es especialmente valiosa en los sistemas de IA, porque los potentes procesadores necesitan un flujo continuo de información para no quedar inactivos. Su producción requiere procesos exigentes de fabricación, apilamiento y encapsulado.
El producto DDR5 para servidores que propone CXMT atiende otra parte de las necesidades de memoria de un centro de datos. La memoria general para servidores da soporte al sistema en su conjunto, mientras que la HBM ofrece acceso especialmente rápido para procesadores exigentes, como los aceleradores de IA de Nvidia.
Wool describió la posición de los proveedores consolidados en el ámbito de la HBM:
Más importante aún, aquí ni siquiera estamos hablando de HBM, y los fabricantes de chips coreanos siguen dominando claramente ese segmento, sin apenas amenazas por parte de CXMT o de otros actores en el futuro previsible
Zhang dijo que los principales fabricantes extranjeros han concentrado su capacidad en HBM3e y HBM4, mientras que la oferta de DDR5 convencional para servidores sigue siendo limitada. Esto podría abrir espacio para otro proveedor fiable de memoria general para servidores, en particular para los clientes chinos que buscan una fuente nacional.
Ling también observa una diferencia entre el desafío competitivo a largo plazo y las capacidades actuales de fabricación. Las empresas chinas de memoria podrían afectar con el tiempo al equilibrio entre la oferta y la demanda, dijo, aunque a corto plazo seguirán enfrentándose a dificultades tecnológicas.
Una cuota de mercado en aumento y un calendario de desarrollo repleto
Counterpoint Research calcula que la cuota de CXMT en los ingresos mundiales por DRAM pasó del 4% en el segundo trimestre de 2025 al 10% en el segundo trimestre de 2026, lo que la convirtió en el cuarto mayor proveedor de DRAM del mundo. Un análisis de HSBC también situó su cuota en torno al 10%, frente a cerca del 4% un año antes.
El aumento equivale a seis puntos porcentuales, o dos veces y media su cuota anterior. Da a CXMT una base comercial cada vez mayor mientras trabaja en su próxima arquitectura. La empresa también avanza hacia la memoria LPDDR6 para teléfonos inteligentes, con un calendario parecido en términos generales al de Samsung y SK Hynix.
Los anuncios recientes de CXMT muestran que varios proyectos avanzan al mismo tiempo:
- 20 de septiembre de 2026: La empresa anunció la producción masiva en su plataforma de proceso DRAM de quinta generación, denominada G5, y presentó una memoria LPDDR5X de alta capacidad.
- 28 de septiembre de 2026: Anunció planes para un proyecto de investigación y desarrollo con un costo de 24.100 millones de yuanes y una segunda fase de un centro de pruebas con un costo de 10.800 millones de yuanes.
- 10 de octubre de 2026: Cao presentó en Shanghái los avances en dispositivos DRAM, arquitectura 4F² y enlaces híbridos.
- Antes de finales de 2026: CXMT se propone presentar su nuevo producto de memoria para servidores.
La plataforma G5 utiliza cuatro exposiciones durante la formación de patrones y alcanza un semiperíodo del área activa de 11,95 nanómetros, una medida de la separación dentro de la matriz de memoria. Los dos proyectos de inversión previstos suman 34.900 millones de yuanes y abarcan el desarrollo de procesos, el encapsulado, las pruebas y el ensamblaje de módulos.
Los controles a las exportaciones condicionan la expansión
CXMT, fundada en 2016 y con sede en Hefei, se beneficia del amplio mercado nacional de productos electrónicos de China. Su acceso a equipos avanzados de fabricación está limitado por las restricciones a las exportaciones, incluidas las que afectan a los sistemas EUV más avanzados de ASML.
La arquitectura propuesta da más importancia a la disposición de los dispositivos y a la unión de obleas fabricadas por separado. Zhang dijo que podría lograr una mayor densidad sin EUV y generar demanda de equipos de grabado, deposición, unión y pulido de precisión.
Los competidores están invirtiendo con otros calendarios de producción y adquisición de equipos. Japón ha comprometido hasta 536.000 millones de yenes para la ampliación de Micron en Hiroshima, que respalda el desarrollo y la producción de DRAM avanzada, con los primeros envíos previstos para 2028 como muy pronto. El proyecto incluye equipos EUV y otras herramientas de fabricación.
La competencia también conlleva tensiones legales. La fiscalía de Corea del Sur presentó cargos contra diez personas por una presunta filtración de tecnología de Samsung, relacionada con conocimientos de fabricación que, según se afirma, llegaron a CXMT. La fiscalía sostuvo que la información transferida ayudó a acelerar su producción de DRAM y respaldó el desarrollo de HBM. Las acusaciones siguen sujetas a procedimientos penales.
Los clientes y la valoración elevan las expectativas
La salida a bolsa de CXMT en julio, en el mercado STAR de Shanghái, elevó el precio de sus acciones casi un 466% en su debut y la convirtió brevemente en la empresa más valiosa que cotiza en China continental. Más adelante, sus acciones llegaron a situarse alrededor de un 4% por debajo del precio de 49 yuanes registrado en su debut.
La empresa estaba valorada en unos 3,46 billones de yuanes, frente a los 3,87 billones de Tencent. Estas cifras sitúan a CXMT en torno al 89% de la valoración de Tencent y muestran la magnitud de las expectativas de los inversores en torno a un fabricante de memoria fundado hace apenas una década.
La adopción por parte de los clientes determinará hasta dónde llegará su alcance comercial. Apple ha estado probando la DRAM de CXMT para dispositivos vendidos en China y ha solicitado permiso al Gobierno de Estados Unidos para un uso más amplio. No se ha anunciado ningún acuerdo de suministro definitivo ni una autorización más amplia.
Analistas de Citi han sostenido que las ventas a centros de datos de regiones como Europa podrían afectar a Micron, aunque las restricciones de Estados Unidos limiten las ventas directas al mercado estadounidense. Un proveedor puede ejercer presión competitiva a través de clientes de otros lugares y alterar qué fabricantes ganan contratos y cuánto pueden cobrar.
Para los operadores de servidores, la posibilidad concreta es contar con otra fuente de memoria convencional si CXMT entrega productos fiables en cantidades suficientes. Para los fabricantes consolidados, el desafío consiste en proteger su ventaja técnica y competir tanto en la DRAM convencional como en memorias más especializadas. Los próximos hitos son la presentación prevista del producto, su validación por los clientes y una producción estable.
Puntos clave
- CXMT se propone presentar antes de finales de 2026 una memoria para servidores basada en una arquitectura 4F² de mayor densidad.
- SK Hynix cayó alrededor de un 10% y Samsung un 7,4% el 13 de octubre, mientras las ventas se extendían a acciones tecnológicas de todo el mundo.
- El diseño combina estructuras verticales de transistores con obleas fabricadas por separado y unidas mediante enlaces híbridos.
- Los analistas ven posibilidades de aumentar la densidad, pero el rendimiento de producción y la homologación por parte de los clientes determinarán el avance comercial.
- Counterpoint calcula que la cuota de CXMT en los ingresos por DRAM pasó del 4% al 10% entre los segundos trimestres de 2025 y 2026.
- El producto previsto está dirigido a la memoria convencional para servidores, mientras que los proveedores consolidados mantienen una posición más sólida en la HBM para sistemas de IA.
